21 Mayıs 2024'te Avrupa Komisyonu, Direktifi (AB) 2024/1416'yı yayınladı.AB RoHS Direktifi 2011 /65/AB'nin III. maddesi 39 (a) "Display aydınlatma ekipmanlarında kullanılan kadmyum bazlı yarı iletken nano kristallerin azaltılması hakkında"Kvant noktaları için kadmiyum selenür (konuşma alanı için kadmiyum <0.2ug/mm2) " muafiyet maddesi geçerlidir ve yeni bir 39 (b) muafiyet maddesi eklenmiştir.Bu direktifin yürürlüğe girmesinin 20. günü,.
"Türkiye'nin Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'de, Gümrük Merkezi'de, Gümrük Merkezi'de, Gümrük Merkezi'de, Gümrük Merkezi'de, Gümrük Merkezi'de
muafiyet şartı
İzin
muafiyet
Uygulanabilirlik kapsamı ve tarihleri
İzinin kapsamı ve sona erme tarihi
39 (a)
Cadmium bazlı yarı iletken nanocrystal kuantum noktalarında cadmium selenid, ekran aydınlatma uygulamalarında kullanılmak üzere (ekran ekran alanının mm2 başına < 0,2 μg Cd).
Cadmium bazlı yarı iletken nanokristal kuantum noktalarını ekran aydınlatma ekipmanlarında azaltmak için kullanılan kadmium selenür (kadmium <0.2μg/mm2 ekran)
Tüm kategoriler için 21 Kasım 2025 tarihinde sona erer
21 Kasım 2025'e kadar muafiyetten muaf olan tüm cihazlara uygulanır
Yeni giriş:
muafiyet şartı
İzin
muafiyet
Uygulanabilirlik kapsamı ve tarihleri
İzinin kapsamı ve sona erme tarihi
39 (b)
Cadmium in downshifting semiconductor nanocrystal quantum dots directly deposited on LED semiconductor chips for use in display and projection applications (< 5μg Cd per mm2 of LED chip surface) with a maximum amount per device of 1 mg.
LED yarı iletken çiplerinde doğrudan depolanmış olan yarı iletken nano kristall kuantum noktalarında kadmiyum azaltmak için kullanılır (LED çip yüzeyinde kadmiyum < 5 μg/mm2),Cihaz başına maksimum doz 1 mg' dır..
21 Mayıs 2024'te Avrupa Komisyonu, Direktifi (AB) 2024/1416'yı yayınladı.AB RoHS Direktifi 2011 /65/AB'nin III. maddesi 39 (a) "Display aydınlatma ekipmanlarında kullanılan kadmyum bazlı yarı iletken nano kristallerin azaltılması hakkında"Kvant noktaları için kadmiyum selenür (konuşma alanı için kadmiyum <0.2ug/mm2) " muafiyet maddesi geçerlidir ve yeni bir 39 (b) muafiyet maddesi eklenmiştir.Bu direktifin yürürlüğe girmesinin 20. günü,.
"Türkiye'nin Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'nde, Gümrük Merkezi'de, Gümrük Merkezi'de, Gümrük Merkezi'de, Gümrük Merkezi'de, Gümrük Merkezi'de, Gümrük Merkezi'de
muafiyet şartı
İzin
muafiyet
Uygulanabilirlik kapsamı ve tarihleri
İzinin kapsamı ve sona erme tarihi
39 (a)
Cadmium bazlı yarı iletken nanocrystal kuantum noktalarında cadmium selenid, ekran aydınlatma uygulamalarında kullanılmak üzere (ekran ekran alanının mm2 başına < 0,2 μg Cd).
Cadmium bazlı yarı iletken nanokristal kuantum noktalarını ekran aydınlatma ekipmanlarında azaltmak için kullanılan kadmium selenür (kadmium <0.2μg/mm2 ekran)
Tüm kategoriler için 21 Kasım 2025 tarihinde sona erer
21 Kasım 2025'e kadar muafiyetten muaf olan tüm cihazlara uygulanır
Yeni giriş:
muafiyet şartı
İzin
muafiyet
Uygulanabilirlik kapsamı ve tarihleri
İzinin kapsamı ve sona erme tarihi
39 (b)
Cadmium in downshifting semiconductor nanocrystal quantum dots directly deposited on LED semiconductor chips for use in display and projection applications (< 5μg Cd per mm2 of LED chip surface) with a maximum amount per device of 1 mg.
LED yarı iletken çiplerinde doğrudan depolanmış olan yarı iletken nano kristall kuantum noktalarında kadmiyum azaltmak için kullanılır (LED çip yüzeyinde kadmiyum < 5 μg/mm2),Cihaz başına maksimum doz 1 mg' dır..